Gửi bình luận
Các nhà khoa học Trung Quốc – Mỹ bằng phương pháp mới giúp hình thành một lớp đặc biệt trên graphene, gọi là epigraphene", nhằm tạo ra khoảng trống cần thiết cho các electron chuyển động rất nhanh, nhanh hơn nhiều so với silicon và các vật liệu tương tự.
Lớp này rất quan trọng vì nó tạo ra một khoảng trống điện tử cần thiết, làm cho graphene phù hợp ứng dụng trong các thiết bị điện tử. Nó cũng đảm bảo rằng graphene bền và dễ gia công, mang lại triển vọng lớn về thương mại, theo nghiên cứu đăng trên tạp chí Nature của nhóm nhà khoa học trên.
Để đạt được bước đột phá này, nhóm nghiên cứu đã sử dụng một phương pháp gọi là "ủ gần như cân bằng", bao gồm việc làm nóng và làm lạnh vật liệu một cách cẩn thận để thay đổi cấu trúc của nó.
"Bước tiến này không chỉ mở ra những hướng đi mới cho thiết bị điện tử hiện đại, vượt xa công nghệ dựa trên silicon truyền thống mà còn tiếp thêm nguồn năng lượng mới cho công nghiệp bán dẫn" - báo cáo trên trang web Trường ĐH Thiên Tân khẳng định.
"Nghiên cứu này không chỉ duy trì tính ổn định vượt trội của graphene mà còn tạo ra những đặc tính điện tử mới, mở đường cho việc chế tạo chip làm bằng graphene trong tương lai" - báo Khoa học và Công nghệ có trụ sở tại Bắc Kinh viết hôm 5-1.
Dẫu vậy, các nhà khoa học Trung Quốc – Mỹ tại Trường ĐH Thiên Tân đánh giá có thể phải mất từ 10 -15 năm nữa để đưa chất bán dẫn graphene vào sản phẩm công nghiệp và thương mại hóa.
